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漏源电(diàn)压BV DSS (V)(Min.):

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

150

导通电(diàn)阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

180

最大漏极(jí)电流Id(on)(A):

20

通(tōng)道极性:

N沟(gōu)道(dào)

封装/温度(℃):

TO-220F-3L/-55~125

描述:

600V,180mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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