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功（gōng）率器件SJ-MOSFET产（chǎn）品优势及应用点击查（chá）看（kàn）选型（xíng）表

SJ-MOSFET产品优势

晶圆工艺: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺，更少的光罩层数（shù），生产周期（qī）更短，更具成（chéng）本优（yōu）势（shì）
低内阻: 特殊的超结（jié）结构让（ràng）高压（yā）超（chāo）结MOS内阻在同样面（miàn）积情（qíng）况下降（jiàng）低到VDMOS的（de）1/3-1/5
更高效率: 较高的轻载，满载效率，超低的导通内阻（zǔ），有效的降（jiàng）低导通、开关损耗
低温升: 较低的功耗（hào），有效（xiào）的降（jiàng）低（dī）电源（yuán）整体的工作温度，延长电源的（de）使用寿命
易用性: 使用过程（chéng）中简（jiǎn）单易（yì）用，驱（qū）动电流需求小，对新一（yī）代高速开关电源提（tí）供有力的支持
应用范围广: 适（shì）宜于对系统效率有更高要求（qiú）的照明应（yīng）用（yòng）、各类电源、适配器及（jí）智（zhì）能手机、平（píng）板电脑充电（diàn）器中，以及大功率充电桩， LED电源、通讯、服务器（qì）电源等

SJ-MOSFET产（chǎn）品（pǐn）应用（yòng）