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功率器件SJ-MOSFET产品（pǐn）优势及应用点（diǎn）击查看选（xuǎn）型表

SJ-MOSFET产品优势

晶圆工艺: 采用2.5代（dài）深槽（ Deep-Trench ）超结（jié）工艺，更少（shǎo）的光罩层数（shù），生产周期更短，更具成本（běn）优势
低内阻: 特（tè）殊（shū）的超（chāo）结结构让（ràng）高（gāo）压超结（jié）MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1/3-1/5
更高效率: 较高的轻载（zǎi），满载效率，超低的导通内（nèi）阻，有效的（de）降低导通、开关损耗
低温升: 较（jiào）低（dī）的功（gōng）耗，有效的降低（dī）电源整体的工作温（wēn）度，延长电源的使用寿命
易用性: 使（shǐ）用过程中（zhōng）简单易（yì）用（yòng），驱动电流（liú）需（xū）求小，对（duì）新一代高（gāo）速开关电（diàn）源（yuán）提供有（yǒu）力的支持
应用范围广: 适宜于对系统效率有更高要（yào）求的照明（míng）应用、各类（lèi）电源、适配（pèi）器及智能手（shǒu）机、平板电脑充电器（qì）中，以及大（dà）功率充（chōng）电桩， LED电源、通讯、服务器电源等（děng）

SJ-MOSFET产品应用