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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最大漏极电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

11

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟（gōu）道

封装（zhuāng）/温度（dù）(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,360mΩ,5A,N沟道（dào）基于超级结技术的功率MOSFET



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