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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

320

导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

400

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

15

驱动电（diàn）压(V)：

10

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3/-55~125

描述：

700V,400mΩ,15A,N沟道基于超级结技术（shù）的功（gōng）率MOSFET


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