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漏源电(diàn)压BV DSS (V)(Min.):

650

导通(tōng)电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

65

导通电(diàn)阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

70

最大漏极电流(liú)Id(on)(A):

47

通道极性(xìng):

N沟道

封装(zhuāng)/温度(dù)(℃):

TO-247-3L/-55~125

描述:

650V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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