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漏源（yuán）电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

530

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

580

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

8

通道（dào）极（jí）性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,580mΩ,8A,N沟道基于超级结技（jì）术的功率MOSFET


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