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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

130

最（zuì）大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

30

通（tōng）道（dào）极性：

N沟（gōu）道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述：

600V,130mΩ,30A,N沟（gōu）道基于超级结（jié）技术（shù）的功率MOSFET


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