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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

280

最大漏极电流Id(on)(A)：

15

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

600V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术（shù）的（de）功率MOSFET


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