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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

5

通道（dào）极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-251-3L(IPAK)/-55~125

描述：

650V,850mΩ,5A,N沟道基于（yú）超级结（jié）技术的功率MOSFET



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