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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

70

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

74

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

47

通道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

650V,74mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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