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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

20

通道极性（xìng）：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220-3/-55~125

描述：

600V，190mΩ，20A，N沟（gōu）道基于超级结（jié）技（jì）术（shù）的功率（lǜ）MOSFET


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