九游平台-九游(中国)一站式服务平台



漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

83

导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

99

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

40

通（tōng）道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

600V,99mΩ,40A,N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


九游平台-九游(中国)一站式服务平台

九游平台-九游(中国)一站式服务平台