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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

20

驱动电压(V)：

10

通道极性：

N沟（gōu）道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于（yú）超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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