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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

83

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

99

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

40

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述（shù）：

600V，99mΩ，40A，N沟道（dào）基于超级结（jié）技术的功率（lǜ）MOSFET



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