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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

75

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

90

最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

40

通道极性：

N沟（gōu）道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述（shù）：

600V,90mΩ,40A,N沟道基（jī）于（yú）超级结技术的功率MOSFET


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