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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大（dà）漏（lòu）极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

20

通道极性：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220-3/-55~125

描（miáo）述：

600V，190mΩ，20A，N沟道基于超（chāo）级（jí）结技术的（de）功率MOSFET


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