九游平台-九游(中国)一站式服务平台



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

70

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

74

最大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

47

通道（dào）极（jí）性：

N沟道

封（fēng）装/温（wēn）度（dù）(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述（shù）：

650V,74mΩ,47A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET



九游平台-九游(中国)一站式服务平台

九游平台-九游(中国)一站式服务平台