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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最大漏极电流Id(on)(A)：

25

通道极性：

N沟（gōu）道（dào）

封（fēng）装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述（shù）：

550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的（de）功（gōng）率MOSFET



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