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漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

550

导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

25

通道极（jí）性（xìng）：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述：

550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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