九游平台-九游(中国)一站式服务平台



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最（zuì）大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温（wēn）度(℃)：

PDFN8*8/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET


九游平台-九游(中国)一站式服务平台

九游平台-九游(中国)一站式服务平台