九游平台-九游(中国)一站式服务平台



漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

290

最（zuì）大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

15

通道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-252-2L/-55~125

描述：

650V,290mΩ,15A,N沟道基（jī）于（yú）超级结技术（shù）的（de）功率（lǜ）MOSFET


九游平台-九游(中国)一站式服务平台

九游平台-九游(中国)一站式服务平台