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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最大（dà）漏极（jí）电流Id(on)(A)：

25

通道极性：

N沟（gōu）道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述（shù）：

550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET



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