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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

47

通（tōng）道极性：

N沟（gōu）道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

650V,70mΩ,47A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结技（jì）术的（de）功（gōng）率MOSFET


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