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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

550

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

25

通道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描（miáo）述：

550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术（shù）的功（gōng）率MOSFET



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