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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

83

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

99

最大漏极电流Id(on)(A)：

40

通道（dào）极性：

N沟（gōu）道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,99mΩ,40A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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