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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

47

通道极（jí）性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,70mΩ,47A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET



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