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漏(lòu)源电压BV DSS (V)(Min.):

700

导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

380

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

430

最大漏极(jí)电流(liú)Id(on)(A):

11

通道极性(xìng):

N沟道(dào)

封装/温度(dù)(℃):

TO-220F-3L/-55~125

描述:

700V,430mΩ,11A,N沟道基(jī)于超级(jí)结技术的功率MOSFET


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