九游平台-九游(中国)一站式服务平台



漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最（zuì）大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

7

通道极（jí）性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-251-3L(IPAK)/-55~125

描述：

650V,600mΩ,7A,N沟（gōu）道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET



九游平台-九游(中国)一站式服务平台

九游平台-九游(中国)一站式服务平台