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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

11

驱动电压（yā）(V)：

10

通道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220-3/-55~125

描（miáo）述：

650V，360mΩ，11A，N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET



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