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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最大漏极电流Id(on)(A)：

25

通道（dào）极（jí）性：

N沟道

封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

550V,140mΩ,25A,N沟道（dào）基于超级结技（jì）术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET


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